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onsemi FQP8N80C
| Artikelnummer: | FQP8N80C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $2.682 |
| 100+ | $2.1978 |
| 500+ | $1.871 |
| 1000+ | $1.5779 |
| 2000+ | $1.499 |
| 5000+ | $1.4427 |
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onsemi FQP8N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP8N80C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 178W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) Grundproduktnummer FQP8 FQP8N80C Einzelheiten PDF [English] FQP8N80C PDF - EN.pdf -
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